| 专利名称 | 一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法 | 申请号 | CN201210385176.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102856184A | 公开（授权）日 | 2013.01.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;张有为;杨喜超;谢晓明 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法 至一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种于多层石墨烯表面制备高k栅介质的方法，首先于两层或两层以上的石墨烯表面采用直流磁控溅射法制备金属薄膜，以在所述石墨烯表面引入悬挂键；然后采用化学腐蚀法去除所述金属薄膜，并对所述石墨烯表面进行清洗和干燥；最后利用H2O为氧化剂及金属源反应，采用原子层沉积法于所述石墨烯表面沉积金属氧化物薄膜作为高k栅介质层。本发明具有以下有益效果：本发明通过引入的金属薄膜，可以有效地在石墨烯晶格中引入悬挂键，同时在后续金属溶解工艺中能够很好的保留顶层石墨烯，由于悬挂键的作用，可以通过原子层沉积法制备均匀且超薄的高k栅介质层。 |
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