| 专利名称 | 具多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用 | 申请号 | CN201110083586.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102185069A | 公开（授权）日 | 2011.09.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王敏锐;方运;张宝顺;杨辉 | 主分类号 | H01L33/22(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/22(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 具多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用 至具多重环带结构分布图形的衬底及其制法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种具有多重环带结构的图形衬底及其制备方法和应用，所述图形衬底的图形由阵列排布的复数个多重环带单胞结构组成，每一个多重环带单胞结构包含复数个同心的由大到小嵌套的环形凸起脊，相邻环形凸起脊之间由平面结构或曲面结构连接，环带结构中心为凸起或凹陷结构。本发明适用于制备发光二极管和用于生长GaN基外延材料，可以将外延生长时的位错缺陷分布在环形顶部上，消除了外延生长过程中的位错集中，避免出现局部高位错密度缺陷区，提高了LED器件的抗静电击穿能力和寿命。此外，环带结构还可以在获得高取光效率的同时降低对刻蚀深度的要求，降低图形衬底的制作成本，减小外延生长时间，提高生产效率和产品的性能，降低LED成本。 |
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