| 专利名称 | 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 | 申请号 | CN200610112885.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101140955 | 公开（授权）日 | 2008.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 杨浩;张海英;吴茹菲 | 主分类号 | H01L29/868(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/868(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 专利有效期 | 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 至一种砷化镓PIN二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs PIN二极管，该GaAs PIN二极管包括：用于 支撑整个GaAs PIN二极管的半绝缘GaAs衬底；在半绝缘GaAs衬底上外 延生长的高掺杂N+层，在高掺杂N+层上依次外延生长的接近本征的高阻 I层和P+层；通过采用湿法刻蚀，所述高掺杂N+层、高阻I层和P+层的面 积依次减小形成台面结构；在P+层上蒸发金属形成的圆形结构上电极；在 N+层上蒸发金属形成的半环形结构下电极。本发明同时公开了一种GaAs PIN二极管的制作方法。利用本发明，不增加工艺难度的前提下有效降低 了PIN二极管的寄生电容，同时，连接上电极的微带线大大缩短，由其引 入的寄生电感可以大幅减小，甚至可以忽略，无需使用空气桥工艺，制作 简便，能够获得更好的高频特性，且易于实现单片集成。 |
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