| 专利名称 | 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 申请号 | CN200610112889.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101140947 | 公开（授权）日 | 2008.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 马志勇;王晓亮;冉军学;胡国新;肖红领;王翠梅;罗卫军 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 至氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包 括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作 在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意 掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一 非有意掺杂高迁移率氮化镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓 层制作在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插 入层，该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的 上面；一非有意掺杂或n型掺杂组分阶变AlxInyGazN层，该 组分阶变AlxInyGazN层制作在氮化铝插入层的上面。 |
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