| 专利名称 | 一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法 | 申请号 | CN200610112884.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101140185 | 公开（授权）日 | 2008.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈大鹏;叶甜春;欧毅;董立军;刘辉;胥兴才;韩敬东;李超波;焦彬彬;黄庆文;石莎莉;伍小平;张青川;董凤良;熊慎明 | 主分类号 | G01J5/10(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/10(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法 至一种非制冷红外焦平面阵列探测器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器，包括：由双层氮化 硅SiNx薄膜分别形成的支撑结构和微反射镜结构，支撑结构同时也作为红 外辐射吸收层，用于吸收红外辐射；微反射镜结构用于与支撑结构形成红 外吸收共振腔，吸收红外辐射，提高支撑结构对于红外辐射的吸收效率， 同时还作为光学读出的反射镜；所述支撑结构和微反射镜结构通过SiNx 材料连接。本发明同时公开了一种非制冷红外焦平面阵列探测器的制作方 法。利用本发明，由于支撑结构同时充当红外辐射吸收层，微反射镜结构 背面金属可以反射红外辐射，所以大大提高支撑膜对于红外辐射的吸收效 率和填充因子。另外，本发明还提高了系统探测极限灵敏度。 |
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