| 专利名称 | 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 申请号 | CN200610127920.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101136432 | 公开（授权）日 | 2008.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;马志勇;胡国新;肖红领;冉军学;王翠梅;罗卫军 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 专利有效期 | 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 至宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一 衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底 的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶 格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺 杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在铝 (铟)镓氮超晶格缓冲层的上面；一非有意掺杂高迁移率氮化 镓层，该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂或掺 杂氮化镓高阻层的上面；一氮化铝插入层，该氮化铝插入层制 作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层的上面；一非有意掺杂或n 型掺杂铝(铟)镓氮层，该铝(铟)镓氮层制作在氮化铝插入 层的上面。 |
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