| 专利名称 | 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟 | 申请号 | CN200710039950.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101136340 | 公开（授权）日 | 2008.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 徐庆庆;魏彦锋;陈新强;赵守仁;杨建荣 | 主分类号 | H01L21/368(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/368(2006.01)I | 专利有效期 | 硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟 至硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法及专用石墨舟 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基衬底碲镉汞液相外延的生长方法，该方法的特征在 于：先在Si/CdTe复合衬底外生长一层SiO2覆盖层，然后采用恒速降温和分步冷 却相结合的方式生长HgCdTe外延薄膜。其有益效果在于：SiO2覆盖层能够很好 的起到保护衬底表面不被粘污，同时还能起到隔绝Si与熔融母液的接触。生长方 法的改进一方面可以避免很薄的缓冲层发生回熔，另一方面也减少了生长母液与 Si/CdTe衬底接触的时间，有效地控制Si溶解，满足了红外焦平面器件要求的具有 一定性能的长波HgCdTe材料。 |
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