| 专利名称 | 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法 | 申请号 | CN200610112701.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101136337 | 公开（授权）日 | 2008.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 毕津顺;海潮和 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法 至一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备低栅扩展电容SOI体接触器件的方法，包括： A.在SOI顶层硅上生长并剥离一层牺牲氧化层，进行N场注入和P场注 入，对得到的器件进行电学隔离；B.在电学隔离后的器件表面热生长一 层二氧化硅，注入杂质，穿透热生长的二氧化硅层，调节阈值电压；C. 在热生长的二氧化硅层上化学气相淀积一层二氧化硅，增加一层栅扩展光 刻版，以光刻胶为掩膜，对热生长及淀积的二氧化硅进行刻蚀；D.去胶， 然后低温热生长一层高质量栅氧化层，化学气相淀积一层多晶硅，对淀积 的多晶硅进行离子注入；E.退火，利用栅版光刻版对多晶硅进行刻蚀并 去胶。利用本发明，减小了SOI体接触器件的栅扩展电容，提高了电路的 工作速度，降低了电路的功耗。 |
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