| 专利名称 | 一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法 | 申请号 | CN200710038809.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101135040 | 公开（授权）日 | 2008.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;刘敏玲;陈立东 | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;B22F3/16(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法 至一种p型含铜硫透明导体薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明采用脉冲激光沉积(Pulse Laser Deposition PLD)制备p型黄铜 矿结构化合物CuAlS2及掺杂透明导电薄膜。本发明采用石英玻璃、普通玻 璃或Si片作为衬底，固相反应与SPS烧结或固相反应与无压烧结得到的化 合物块体作为靶材，在适当的气氛压强，衬底温度，激光强度与频率下，通 过PLD法制备出CuAlS2或掺杂薄膜。所制备的薄膜具有p型导电性，且同 时具有高的电导率与高的可见光透光率等优良的光电性能。本发明获得的p 型CuAlS2薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。 |
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