| 专利名称 | 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法 | 申请号 | CN200710177556.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101162694 | 公开（授权）日 | 2008.04.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 周春兰;王文静;唐煜;李海玲 | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法 至一种测量晶体硅体少子寿命的化学钝化方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 一种测量晶体硅少子寿命的化学钝化方法，将经过去损伤层处理后的硅片在常温下用去离 子水稀释39％或49％的高浓度氟化氢溶液漂洗，去除硅片表面的自然氧化物，将硅片放入透明 的，耐氟化氢HF，对电信号无干扰的塑料袋中，然后在晶体硅前后表面滴几滴浓度39％或49％ 的氟化氢HF溶液，再在塑料袋外面将硅片上的氟化氢(HF)溶液均匀抹平，使表面的氟化氢溶液 的厚度低于1mm；去除在硅片上残留的气泡。用塑料封口机对塑料袋密封后，将塑料袋放入测 试设备的样品台中进行测试。本发明仅可以达到对硅片表面均匀的钝化效果，使表面复合速度 降低到100cm/s以下。而且成本低，易操作，测量不费时，尤其适用于太阳电池生产和研究单 位对硅片原材料的检测和分析。 |
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