| 专利名称 | 一种高耐压碳化硅光导开关 | 申请号 | CN200710045225.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101132030 | 公开（授权）日 | 2008.02.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈之战;施尔畏;严成锋;肖兵 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/036(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高耐压碳化硅光导开关 至一种高耐压碳化硅光导开关 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种高耐压碳化硅光导开关，属于半导体器件制备 技术领域。光导开关采用相对面型设计，在经处理后的碳化硅抛光片 的两面制作欧姆接触，形成两个电极。这种相对面型碳化硅光导开关 可以成倍地提高开关的耐压能力，使光导开关的体积得以缩小，为光 导开关的集成化创造条件，可用于半导体器件领域。 |
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