| 专利名称 | 化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法 | 申请号 | CN201110388504.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102509712A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐勤志;陈岚 | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/66(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;B24B37/34(2012.01)I | 专利有效期 | 化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法 至化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种化学机械抛光研磨液动压分布和研磨去除率的确定方法，给定待研磨晶圆与研磨垫之间研磨液的厚度，根据研磨液的性质、研磨垫的角速度和液膜厚度确定研磨液的动压分布以及晶圆受到研磨液的作用力；根据研磨液和研磨垫的性质确定研磨时晶圆受到研磨垫和研磨粒子的作用力；结合晶圆受到的外力，判断晶圆所受作用力和力矩是否平衡，如果否，修正液膜厚度，重新确定晶圆受到的作用力和研磨液的动压分布；如果是，确定晶圆的研磨去除率。本发明能够预测晶圆经过化学机械研磨后的表面形貌，为CMP工艺建模提供指导；同时，能够反应研磨表面的变化特征，为集成电路版图的可制造性设计提出修改意见，从而提高产品良率。 |
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