| 专利名称 | 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法 | 申请号 | CN200610109563.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101123273 | 公开（授权）日 | 2008.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;王琴;陈杰智;刘明;陈宝钦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法 至一种SOI基顶栅单电子晶体管及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种绝缘体上硅SOI基顶栅单电子晶体管，该单电子晶 体管包括：库仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、 连接库仑岛与漏的隧道结、位于库仑岛上面的栅介质和多晶硅栅、源上沉 积的源电极、漏上沉积的漏电极、以及顶栅上沉积的顶栅栅电极。本发明 同时公开了一种SOI基顶栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，大大 提高了单电子晶体管的可靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作 工艺，降低了制作成本，提高了工艺稳定性和制作效率，非常有利于本发 明的广泛推广和应用。另外，本发明非常适合于制作单电子晶体管，能够 获得较高的操作温度，同时对高速操作也非常有利。 |
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