| 专利名称 | 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN200610109561.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101123272 | 公开（授权）日 | 2008.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;王琴;李志刚;刘明;陈宝钦 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法 至一种硅基侧栅单电子晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基侧栅单电子晶体管，该单电子晶体管包括：库 仑岛、位于库仑岛两侧的源和漏、连接库仑岛与源的隧道结、连接库仑岛 与漏的隧道结、位于库仑岛侧面的栅介质和侧栅、源上沉积的源电极、漏 上沉积的漏电极、以及侧栅上沉积的侧栅电极。本发明同时公开了一种硅 基侧栅单电子晶体管的制作方法。利用本发明，提高了单电子晶体管的可 靠性及与传统CMOS工艺的兼容性，简化了制作工艺，降低了制作成本， 提高了制作效率。 |
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