| 专利名称 | 采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法 | 申请号 | CN201110302416.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102503430A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 罗朝华;江东亮;张景贤;林庆玲;陈忠明;黄政仁 | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I | IPC主分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 专利有效期 | 采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法 至采用改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种改进流延成型工艺制备反应烧结碳化硅陶瓷的方法，涉及将由流延膜脱粘后的多孔素坯中真空浸渍酚醛树脂溶液，干燥、碳化后再经反应渗硅得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明包含如下步骤：先用流延成型的方法制备得到多孔的含碳素坯；再将多孔素坯，真空浸渍到酚醛树脂溶液中，浸渍完全后将素坯干燥、碳化，最后将碳化后的素坯在真空炉中反应渗硅，得到致密的反应烧结碳化硅陶瓷。本发明以流延成型工艺用于反应烧结碳化硅素坯的制备为基础，对该工艺中存在的游离硅含量高的不足进行改进，不仅保持了流延工艺可叠层设计的优点，而且有效地降低了反应烧结陶瓷中残留Si的含量以及显著提高烧结体的抗弯强度。 |
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