| 专利名称 | 快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法 | 申请号 | CN201110304521.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102502646A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 张伟刚;于守泉;卢振西 | 主分类号 | C01B33/03(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/03(2006.01)I | 专利有效期 | 快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法 至快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种快速循环流化床化学气相沉积制备多晶硅的设备及方法，属于化工技术领域。所述设备述为快速循环流化床，主要由上升管、多晶硅产品取出口、原料气入口、旋风分离器、气体出口、沉降管、硅晶种加料口、储料罐、物料循环管、流化气入口、反应区温控系统、储料罐温控系统、流量计A和流量计B组成；所述方法为使用所述设备制备多晶硅的方法，通过使含硅原料气热分解或还原产生单质硅并沉积在原料多晶硅颗粒的表面，控制反应温度，使原料多晶硅颗粒逐步长大，得到产品多晶硅粒。所述设备及方法提高了沉积效率，降低了生产成本；提高了原料气的转化率并降低能耗；通过流量计调节流化气速度，可以控制得到粒径均一的产品多晶硅。 |
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