| 专利名称 | 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法 | 申请号 | CN201110031815.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623632A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 彭程;吴良才;饶峰;宋志棠;周夕淋;朱敏;刘波 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法 至用于高温环境的N-Ge-Te相变存储材料及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种用于高温环境的N-Ge-Te相变薄膜材料及其制备方法，该材料的组分通式为Nx（GeyTe1-y）1-x，其中0＜x≤0.15，0.5＜y≤0.9，在外部电脉冲的作用下实现可逆相变。该材料可采用磁控溅射中多靶共溅射的方法制备。本发明立足于相变材料非晶态的稳定性问题，通过调节化合物中掺杂N的含量和Ge、Te的比例，在不丢失可逆相变能力的前提下大幅度提高材料的结晶温度和结晶激活能。Nx（GeyTe1-y）1-x与传统的Ge2Sb2Te5材料相比有更高的结晶温度、更好的热稳定性和数据保持力，为相变存储器在航天航空领域的应用打好基础。 |
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