| 专利名称 | 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 | 申请号 | CN201110033809.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102616854A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 肖清贵;陈寅;徐红彬;张懿 | 主分类号 | C01G39/06(2006.01)I | IPC主分类号 | C01G39/06(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 至一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种单分散球形MoS2超细粉体的制备方法。本发明的单分散球形MoS2超细粉体的制备方法包括以下步骤：1)将浓度为0.01～0.05mol/L的四硫代钼酸铵溶液加入反应器，滴加酸液，其中四硫代钼酸铵和酸的摩尔比为1∶0.8～1.5，搅拌、反应、熟化，然后分离固液两相，清洗固体，得到单分散MoS3颗粒；2)将步骤1)中得到的MoS3颗粒在惰性气体的保护下，加热，再通入还原气体反应，冷却得到单分散球形MoS2超细粉体。本发明以(NH4)2MoS4和酸溶液为原料，采用液相沉淀-氢还原法，实现了单分散球形MoS2超细粉体材料的制备，生产条件温和，设备要求简单，工艺流程短，原料利用率高，能耗低，生产过程中不引入其他杂质，产品质量好，纯度高。 |
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