| 专利名称 | 阻变型随机存储单元及存储器 | 申请号 | CN201110026944.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610749A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明;张满红;王艳花;龙世兵 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I | 专利有效期 | 阻变型随机存储单元及存储器 至阻变型随机存储单元及存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种阻变型随机存储单元及存储器。该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻变存储部分和选通功能部分共用中间电极，选通功能部分可以位于阻变存储部分的上方或下方；非对称隧穿势垒层由至少两种势垒高度存在差异的材料构成，以实现对穿过阻变型随机存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明引入非对称隧穿势垒层用于整流，从而实现电阻单元的选通操作。同时，由于非对称隧穿势垒层不用掺杂，不用高温退火，并且厚度较薄，因此有利于实现阻变型随机存储器进行三维高密度集成。 |
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