| 专利名称 | 非挥发性存储单元及存储器 | 申请号 | CN201110026927.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102610748A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 霍宗亮;刘明;刘璟;王艳花;龙世兵 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 非挥发性存储单元及存储器 至非挥发性存储单元及存储器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种非挥发性存储单元及存储器。该存储单元由上至下依次包括：上电极、非对称隧穿势垒结构和下电极，其中该非对称隧穿势垒结构用于实现对穿过非挥发性存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明存储单元采用非对称隧穿势垒结构，通过在非对称势垒两端施加不同极性的电压，其隧穿电流可以通过非对称的势垒高度和隧穿厚度的调整而获得很大的正反向电流差异，从而有效实现整流特性。 |
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