| 专利名称 | 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 | 申请号 | CN201210114614.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102605425A | 公开（授权）日 | 2012.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王庆国;徐军;苏良碧;郑丽和;李红军;徐晓东 | 主分类号 | C30B29/12(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/12(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 至稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种稀土离子掺杂氟氯化铅激光基质晶体及其制备方法，其化学式为RE3+:PbClF，其中稀土离子RE3+选自Yb3+、Nd3+、Tm3+、Ho3+、Pr3+、Ce3+和Er3+中的至少一种。本发明提供的稀土掺杂的具有无序阴离子配位、低对称性的氟氯化物激光晶体。 |
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