| 专利名称 | 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法 | 申请号 | CN201110355312.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102508079A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 | 主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法 至一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。 |
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