| 专利名称 | 一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法 | 申请号 | CN201110369135.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102500589A | 公开（授权）日 | 2012.06.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 龚先祖;吴金华;赵燕平;胡建生;李建刚 | 主分类号 | B08B9/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B9/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法 至一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用高频场对磁约束聚变装置第一壁进行清洗的方法。实现步骤为：(1)在磁约束聚变装置真空室中预先充入0.1-10Pa的气体；(2)在磁约束聚变装置真空室中布置高频天线，然后以磁约束聚变装置真空室为负极，伸入在磁约束聚变装置真空室中的高频天线为正级，在负极和正极之间施加电压为3-5KV、频率为20-50KHz、功率为2-10KW的高频场；(3)在高频场的电离下，气体被击穿并产生稳定的高频等离子体放电，将对磁约束聚变装置真空室第一壁进行有效的轰击，在经过1-10小时的放电清洗后，达到对第一壁的清洗。本发明能提高清洗效率1倍。 |
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