| 专利名称 | 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 | 申请号 | CN201210103888.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623517A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 张宇翔;黄寓洋;张耀辉 | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 至一种背接触型晶体硅太阳能电池及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种背接触型晶体硅太阳能电池，包括硅基底(10)、n型或p型掺杂的多晶硅层(15)，在所述n型或p型掺杂的多晶硅层(15)和硅基底(10)之间形成第一钝化层(11)。本发明还提供这种背接触型晶体硅太阳能电池的制作方法，通过热氧化法引入第一钝化层(11)。通过这样方法改进的太阳能电池会大大改善电池表面的钝化效果，减少光生载流子的复合，降低电学的损失，从而获得更高的转换效率，实现更大的功率输出。 |
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