| 专利名称 | 一种形成半导体结构的方法 | 申请号 | CN201110033687.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623405A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种形成半导体结构的方法 至一种形成半导体结构的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种形成半导体结构的方法，包括：提供一半导体衬底，其包括：形成在所述半导体衬底上的伪栅，围绕所述伪栅的侧墙，分别形成在所述伪栅两旁的源极区和漏极区，形成在所述半导体衬底中且在所述伪栅下的沟道区；去除所述伪栅，以形成栅极间隙；在所述栅极间隙内形成应力材料层；对所述半导体衬底进行退火，所述应力材料层在退火中具有拉应力性质；去除所述栅极间隙内的所述应力材料层；及在所述栅极间隙中形成栅极。通过上述步骤，可以将应力记忆技术应用于pMOSFFT。 |
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