| 专利名称 | 一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201210098042.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102620456A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 刘志敏;曹鸿涛;吴亮;梁凌燕;孙喜莲 | 主分类号 | F24J2/48(2006.01)I | IPC主分类号 | F24J2/48(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法 至一种中低温太阳能选择吸收薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种中低温太阳能选择吸收薄膜，该薄膜主要包括依次沉积在具有红外反射功能的衬底上的扩散阻挡层、吸收层和减反射层；或者主要包括依次沉积在衬底上的红外反射层、扩散阻挡层、吸收层和减反射层。红外反射层的成分为Cu、Mo或Ag；扩散阻挡层的成分为铬-氮复合成分；吸收层由铬单质-氧化铬多元相、铬单质-氮氧化铬多元相中的一种或两种组成；减反射层为SiO2陶瓷薄膜。该薄膜具有较高的太阳光谱吸收率以及较低的红外发射率，较好的热稳定性和耐候性，可在278℃以下的中低温大气环境中长期使用。本发明还公开了该薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法制备，工艺简单成本低，稳定性好，适合工业大面积制备。 |
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