| 专利名称 | 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201210104177.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102623637A | 公开（授权）日 | 2012.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张玉;李洁;陈莺飞;王宁;邓辉;吴玉林;赵璐;郑国林;崔丽敏;郭乃理;蒋凤英;金贻荣;田海燕;郑东宁 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法 至一种导电通道可控性形成的阻变式存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种导电通道可控性形成的阻变式存储器的制备方法包括以下步骤：1）制备氧化物薄膜，在基片上沉积设定厚度的氧化物薄膜；2）对氧化物薄膜进行离子辐照：入射的离子束沿垂直方向穿透所述氧化物薄膜到达所述基片中，并在氧化物薄膜中形成若干条导电通道；3）制备顶电极：在经过所述离子辐照后的氧化物薄膜的上表面上制备顶电极。本发明还包括通过上述方法制成的阻变式存储器。 |
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