| 专利名称 | 一种锑化钴基热电器件的制造方法 | 申请号 | CN200710044771.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101114692 | 公开（授权）日 | 2008.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;赵德刚;李小亚;夏绪贵;柏胜强;周燕飞;赵雪盈 | 主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L35/34(2006.01)I | 专利有效期 | 一种锑化钴基热电器件的制造方法 至一种锑化钴基热电器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种锑化钴基热电器件的制造方法，其特征在于首先用SPS 方法制备出单对或多对P-N的热电块体翻转90°，通过在热电块体上等离 子喷涂一扩散阻挡薄层，可有效的阻挡热电半导体器件组成多个元素的扩 散，同时扩散阻挡层的使用将使热电半导体与金属电极之间的连接转化为金 属与金属的连接过程，使得器件的焊接更加简便。采用的近共晶的Ag-Cu 焊片不仅单单能够满足锑化钴基热电器件高温端500-600℃的温度使用范 围，更为其它中温热电材料器件的制备提供了良好的焊接材料，而电极材料 选用与锑化钴热膨胀系数相近的Mo-Cu合金材料，最大程度的实现了热匹 配，减少了因热失配而产生的热应力。 |
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