| 专利名称 | 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法 | 申请号 | CN200710044534.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101114666 | 公开（授权）日 | 2008.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;吴良才;刘卫丽;刘波;封松林 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L21/84(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法 至一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种抗辐照高可靠的相变存储器器件单元及其制作方法。该 相变存储器的外围电路制作在抗辐照加固的衬底上。存储单元由一个可逆相 变电阻和一个pn结二极管构成，形成1D1R结构。利用SiO2等介质材料把 1D1R封装起来，加上1D1R器件单元小以及射线、粒子可作用的几率小等 优点，从而实现了抗辐照的1D1R存储单元。存储单元通过上下电极散热， 通过相变材料与电极材料之间热阻层的厚度调节热量平衡点。由抗辐照的 1D1R存储单元构成存储阵列，加上SOI衬底上的外围电路，从而形成抗辐 照的相变存储器。 |
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