| 专利名称 | 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法 | 申请号 | CN200710044476.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101110464 | 公开（授权）日 | 2008.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;饶峰;吴良才;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法 至降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种降低相变存储器器件单元功耗的加热层及器件的制作 方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层 之间加入一加热层，加热层厚度控制在2～3nm，可选择的加热层用的材料包 括ZrO2、HfO2或Ta2O5等。单元结构改进的实现是通过在衬底上沉积各种所 需薄膜后，通过微纳加工技术得到微米量级的相变操作单元，并引出可供测 试性能用上下电极。由于氧化物加热层的良好热稳定性和提高器件单元热效 应的显著效应，达到了有效降低单元功耗的目的。 |
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