| 专利名称 | 非平面表面金属微细图形化的方法 | 申请号 | CN200710045107.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101110355 | 公开（授权）日 | 2008.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李刚;周洪波;孙晓娜;姚源;赵建龙 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 非平面表面金属微细图形化的方法 至非平面表面金属微细图形化的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种非平面表面金属微细图形化的方法，首先在一含有非平面结构的基片表面形成上下 两金属牺牲层，并使下层金属牺牲层的标准电极电势高于上层金属牺牲层的标准电极电势， 然后通过旋涂光刻胶及湿法腐蚀等以形成图形化上层金属牺牲层，并使图形化上层金属牺牲 层仅覆盖基片的待金属化非平面结构的表面，接着在上层金属牺牲层上通过旋涂聚合物等以 形成聚合层，并在所述聚合层上旋涂光刻胶等以形成剥离工艺中的图形化光刻胶层，然后采 用电化学阳极腐蚀上层金属牺牲层以去除附在其上的残余光刻胶，最后去除下层金属牺牲层， 并在具有光刻胶层的表面沉积一的金属层，再采用剥离工艺去除光刻胶层以形成图形化金属 层，如此可实现非平面结构中残留的光刻胶的有效去除。 |
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