| 专利名称 | 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法 | 申请号 | CN200710043924.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101101961 | 公开（授权）日 | 2008.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 刘波;宋志棠;封松林;陈宝明 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 专利有效期 | 相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法 至相变材料呈环形的相变存储器器件单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及相变存储器器件单元的结构及其制备方法，其主要特征在于 采用与加热电极和上电极相连的环形相变材料作为存储信息的载体。通过采 用合适的薄膜制备技术和纳米加工技术，制备出环形相变材料，通过上下电 极引出，并与开关和外围电路集成，制备出纳米尺度的相变存储器器件单元。 由于环形相变材料的壁厚可以控制在很小的纳米尺度范围，相变材料的截面 积可以很小，大大增加电流密度，提高相变材料有效相变区域的热效率，降低 相变存储器器件单元的操作电流，减小功耗。 |
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