| 专利名称 | 辐射温度场加速腐蚀的研抛装置 | 申请号 | CN201220407154.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202825476U | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 马臻;许亮;丁蛟腾;陈钦芳 | 主分类号 | B24B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B24B13/00(2006.01)I;B24B13/005(2006.01)I | 专利有效期 | 辐射温度场加速腐蚀的研抛装置 至辐射温度场加速腐蚀的研抛装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型提供一种辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，主要解决了现有光学元件，尤其是非球面光学元件加工时成本较高，加工效率较低的问题。该辐射温度场加速腐蚀的研抛装置，包括用于承载被加工元件的承载机构和腐蚀液储液槽，承载机构使被加工元件全部浸泡在腐蚀液储液槽内；配置有透明磨具，与被加工工件机械接触；温度场生成设备与控制机构连接；所述承载机构和腐蚀液储液槽均固定设置于旋转轴上。本实用新型可实现非球面光学元件的快速抛光，适合与大口径光学元件的研磨抛光，成本低廉。 |
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