| 专利名称 | 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法 | 申请号 | CN201010199981.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102280376A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法 至一种用于CMOS器件的双金属栅双高介质的集成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于CMOS器件的双金属栅双高K栅介质的集成方法：用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；利用物理溅射在超薄界面氧化层上物理汽相淀积高介电常数K栅介质；淀积高K栅介质后快速热退火；采用物理汽相淀积金属氮化物栅；用光刻胶作掩模先后分别进行掺杂；低压化学汽相淀积多晶硅膜和硬掩模，然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶，依次刻蚀多晶硅膜/金属栅/高K介质形成金属栅叠层结构；形成侧墙-1和源/漏延伸区低能注入和大角度注入；形成侧墙-2和源/漏注入；进行快速热退火，在完成源/漏杂质激活的同时，分别实现NMOS器件和PMOS器件金属栅有效功函数的调节。 |
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