| 专利名称 | 一种先栅工艺中叠层金属栅结构的制备方法 | 申请号 | CN201010199969.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102280375A | 公开（授权）日 | 2011.12.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李永亮 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种先栅工艺中叠层金属栅结构的制备方法 至一种先栅工艺中叠层金属栅结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种先栅工艺中叠层金属栅结构的制备方法，在完成常规的LOCOS和STI隔离后，所述方法包括以下步骤：用快速热氧化或化学法在半导体衬底上生长超薄界面氧化层或氮氧化层；在超薄界面氧化层上淀积高介电常数(K)栅介质，淀积高K栅介质后快速热退火；淀积TiN金属栅；淀积AlN或TaN势垒层；淀积多晶硅膜和硬掩模，然后进行光刻和硬掩膜的刻蚀；去胶后，依次刻蚀多晶硅膜/金属栅/高K介质形成金属栅叠层结构。本发明的制备方法，适于纳米CMOS器件中高介电常数介质/金属栅的集成需要，为实现高K/金属栅的集成清除了障碍。 |
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