| 专利名称 | 异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法 | 申请号 | CN200610148126.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101092746 | 公开（授权）日 | 2007.12.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 严东生;谢建军;袁晖;廖晶莹;沈炳孚;童乃柱;邵培发;叶崇志;熊巍;李培俊;吴泓澍;展宗贵;陈良;朱翔宇 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01) | 专利有效期 | 异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法 至异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及异价离子协同掺杂高光产额钨酸铅晶体及其制备方法，属于晶体生长领域。本发明用F－和Sb3+离子双掺杂，在此基础上引入Mo6+，V5+，Nb5+，Zr4+和Ti4+等高价离子协同掺杂来提高钨酸铅晶体的光产额，掺杂量分别为100～8000ppm(at％)、100～5000ppm(at％)和0～10000ppm(at％)，制备方法上利用改进的坩埚下降法来生长具有相对较快衰减，光产额明显提高的阴阳异价离子协同掺杂的钨酸铅单晶。使用铂金坩埚生长。本发明可以同时生长多根高光产额PWO晶体，适于批量生产。 |
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