| 专利名称 | 一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法 | 申请号 | CN201210514737.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102963862A | 公开（授权）日 | 2013.03.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 俞骁;李铁;王跃林 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法 至一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，相邻两腐蚀槽的侧壁间形成单晶硅薄壁；利用自限制氧化工艺进行热氧化，于所述单晶硅薄壁顶部中央区域形成单晶硅纳米线；去除抗氧化掩膜及氧化硅，形成单晶硅纳米线网状阵列结构。本发明工艺简单高效，核心步骤仅涉及常规光刻、腐蚀工艺，抗氧化掩膜和各向异性腐蚀，在常规的掩膜版制备条件和光刻条件下，利用（111）晶面型硅片内的晶面分布特点，可在硅片上制作大规模的单晶硅纳米线组合图形。 |
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