| 专利名称 | 一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法 | 申请号 | CN201010145261.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214563A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;李永亮 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法 至一种金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高金属栅极/高K栅介质叠层结构的制备和成形方法：1)在硅衬底上生成一层SiON和SiO2界面层；2)在界面层上沉积高K栅介质膜；3)对高K介质膜进行快速热退火；4)在高K介质上沉积TaN金属栅电极膜；5)在TaN金属栅极上沉积多晶硅栅层，然后沉积硬掩膜层；6)光刻形成胶膜图形，通过反应离子刻蚀对硬掩膜介质层进行各向异性刻蚀，将胶膜图形转移到硬掩膜层；7)去胶，以硬掩膜为掩蔽层，采用Cl2/HBr混合气体反应离子刻蚀多晶硅栅；8)以硬掩膜为掩蔽层，通过BCl3基刻蚀气体刻蚀对TaN金属栅/高K栅介质叠层进行各向异性和高选择比刻蚀。 |
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