| 专利名称 | 一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法 | 申请号 | CN201110092763.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102212794A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李铁;王文荣;周玉修;王跃林 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I;C23C28/00(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C25D3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法 至一种基于电镀铜衬底制备大面积石墨烯薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种在电镀铜衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述的方法包括如下步骤：在硅片上制备图形化电镀铜衬底；利用常压化学气相沉积的方法在800-1000C的温度下，利用甲烷为碳源，氩气和氢气为载气，生长3-5分钟，从而在电镀铜上生成石墨烯。该方法的特征在于可以直接制备图形化的石墨烯薄膜，并且衬底可以与IC工艺兼容，制作方法简单，成本低，能够大规模制造。 |
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