| 专利名称 | 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 | 申请号 | CN201110236597.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102955112A | 公开（授权）日 | 2013.03.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 赵妙;刘新宇;郑英奎;彭铭曾;魏珂;欧阳思华 | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I | IPC主分类号 | G01R31/26(2006.01)I;G01J5/00(2006.01)I | 专利有效期 | 对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 至对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种对GaN基器件的直流稳态功率老化进行预筛选的方法，包括：对被测GaN基器件进行封装测试，确定被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量器件的结温，并对测量得到的结温进行数学拟和得到被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系，确定被测GaN基器件进行直流稳态功率老化的条件；对被测GaN基器件进行直流稳态功率老化，获得被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线；由该被测GaN基器件各特性参数随时间的变化曲线确定器件各特性参数趋于稳定的阈值时间，确定器件进行直流稳态老化的时间；对多个被测GaN基器件进行老化筛选，剔除在该阈值时间内器件特性参数难以稳定的器件，实现对GaN基器件的直流稳态功率老化的预筛选。 |
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