| 专利名称 | 一种制作纳米开关的方法 | 申请号 | CN201010145217.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214577A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐静波;张海英 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作纳米开关的方法 至一种制作纳米开关的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作纳米开关的方法，该方法包括：步骤1：在衬底背面制作背栅电极；步骤2：在衬底正面生长氧化介质；步骤3：在生长的氧化介质上制作底层电极；步骤4：超声降解一维压电纳米线材料，并转移至衬底表面；步骤5：将一维压电纳米材料精确组装在底层电极上；步骤6：在底层电极之上制作覆盖一维压电纳米材料的顶层电极；步骤7：将源电极接地，漏电极接负载，并在源漏电极间施加直流电压；步骤8：将背栅电极外接至RF激励信号源。本发明利用一维纳米材料的共振原理、纳米压电器件特性及开关特性，经过上述工艺流程，达到了制作纳米开关的目的。 |
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