| 专利名称 | 一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法 | 申请号 | CN201110155042.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214492A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 谢常青;方磊;朱效立;李冬梅;刘明 | 主分类号 | G21K1/06(2006.01)I | IPC主分类号 | G21K1/06(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法 至一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，该方法包括：制作基片；在基片上涂光刻胶，用不同剂量的电子束对该光刻胶进行光刻，形成中心具有圆柱的凸面的光刻胶图形；在形成的光刻胶图形上电镀金层；从基片的背面进行刻蚀，直至穿透基片；以及去胶形成凹面型X射线聚焦小孔。本发明提供的制作凹面型X射线聚焦小孔的方法，是一种工艺简单、制造成本低、生产效率高，并能提供更高的均一性的HSQ工艺的方法，能够完成具有凹面的聚焦小孔制作。 |
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