| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010142041.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102214574A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的制造方法，在形成栅堆叠及其第一侧墙后，进而形成第二侧墙和第三侧墙；而后去除第二侧墙，在第一侧墙与第三侧墙间形成开口。通过在第一侧墙208和第三侧墙212之间形成开口214来限定提升有源区220的形成范围，在开口214内自对准的形成提升有源区220，可以获得更好的提升有源区220的外形，避免无限定方式下造成可能的相邻器件的短路，并且基于这种制造方法，易于实现栅电极204与提升有源区220的等高，也易于实现双应力氮化物工艺，以提高器件的迁移率。 |
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