| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201110265073.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103000686A | 公开（授权）日 | 2013.03.27 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：由多个半导体子层构成的半导体层；在所述半导体层中接于所述半导体层形成的多个鳍片，其中，至少两个鳍片分别包括不同数目的半导体子层，且具有不同的高度。根据本发明，能够在同一晶片上集成具有不同尺寸的多个半导体器件，并提供具有不同驱动能力的器件。 |
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