| 专利名称 | 一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法 | 申请号 | CN200610083996.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101089545 | 公开（授权）日 | 2007.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王琴;王丛舜;龙世兵;刘明;叶甜春 | 主分类号 | G01B7/02(2006.01) | IPC主分类号 | G01B7/02(2006.01);G01N13/10(2006.01) | 专利有效期 | 一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法 至一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及量子信息技术领域，特别是一种射频单电子晶体管位移传感器的设计方法。在SOI衬底上制作双端固支梁和单电子晶体管，利用纳米尺度的双端固支梁作为敏感元件，再用射频单电子晶体管作为传感元件，形成快速超灵敏位移传感器。充分利用射频单电子晶体管的高灵敏度的特性(电荷灵敏度可达10－5eHz－1/2)，形成快速超灵敏位移传感器。这种基于SOI衬底材料的快速超灵敏位移传感器具有极高的位移灵敏度，可达10－5nm，同时也具有很高的工作频率，可达几百MHz。这种快速超灵敏位移传感器可为量子测量提供一种有效的解决方法，可为量子信息技术的发展作出贡献。 |
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