| 专利名称 | 采用硼酸铋为助熔剂熔盐法生长氧化锌单晶 | 申请号 | CN200610091458.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101089243 | 公开（授权）日 | 2007.12.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 涂朝阳;朱昭捷;游振宇;王燕;李坚富 | 主分类号 | C30B29/48(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/48(2006.01);C30B9/12(2006.01) | 专利有效期 | 采用硼酸铋为助熔剂熔盐法生长氧化锌单晶 至采用硼酸铋为助熔剂熔盐法生长氧化锌单晶 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 采用硼酸铋为助熔剂熔盐法生长氧化锌单晶，涉及晶体材料生长制备领域。采用Bi4B2O9作为助熔剂生长氧化锌单晶。所用原料为分析纯Bi2O3、B2O3、和光谱纯的ZnO，在晶体生长过程中以2～15℃/d的速率降温。ZnO单相存在区间大，转熔温度低(为600℃)，因此采用Bi4B2O9助熔剂，有望生长出优质、大尺寸ZnO单晶。 |
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