一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法

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专利名称 一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法 申请号 CN200610091470.9 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101089241 公开(授权)日 2007.12.19 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 涂朝阳;李坚富;朱昭捷;游振宇;王燕 主分类号 C30B29/30(2006.01) IPC主分类号 C30B29/30(2006.01);C30B11/00(2006.01);H01S3/16(2006.01) 专利有效期 一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法 至一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种钒酸钾非线性光学晶体的生长方法,涉及人工晶体生长领域。本发明采用泡生法生长K3V5O14晶体。采用的原料为K2CO3、V2O3,在采用籽晶法生长大尺寸晶体过程中降温速率为0.5~3℃/d。采用泡生法首次生长出尺寸为φ30mm×10mm的K3V5O14优质晶体,有望成为一种新型的红外倍频材料。

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