| 专利名称 | 一种超临界水射流清洗设备 | 申请号 | CN201010145225.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102211096A | 公开（授权）日 | 2011.10.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 高超群;景玉鹏 | 主分类号 | B08B3/08(2006.01)I | IPC主分类号 | B08B3/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超临界水射流清洗设备 至一种超临界水射流清洗设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种超临界水射流清洗设备，用于硅片无损清洗。该设备包括超临界水射流生成装置、清洗室和清洗产物回收处理装置。本发明中超临界水以射流形式到达硅片，并在硅片表面形成超临界水恒温恒压微环境，利用超临界水的物理及化学性质，对硅片表面实施无损清洗。利用本发明，可对硅片表面的微细结构进行有效清洗，同时避免高压清洗腔的使用。 |
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