| 专利名称 | 一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法 | 申请号 | CN201210461758.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102981271A | 公开（授权）日 | 2013.03.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 庄须叶;邱传凯;姚军;汪为民;王强;张铁军;罗吉;张建飞;熊伟 | 主分类号 | G02B26/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B26/08(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法 至一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种大行程结构的静电驱动MEMS变形镜的制作方法，基于硅表面加工工艺、电镀工艺、湿法腐蚀和化学抛光工艺，通过在硅基底上增加形成腔，并利用光刻胶或聚酰亚胺等作为牺牲层，利用电镀工艺制作变形镜的结构，采用化学抛光的方法研磨固化的光刻胶和电镀层，可制作出性能优异的大行程的MEMS变形镜。通过在硅基底上加工行程腔，在行程腔底部制作下电极和导引线，在不增加牺牲层制作难度的情况下，可有效提高变形镜上下电极间的初始间距，提高变形镜的有效行程。 |
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