| 专利名称 | 用于离子迁移率谱仪的微机电表面离化源 | 申请号 | CN200610012042.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101082601 | 公开（授权）日 | 2007.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 何秀丽;郭会勇;高晓光;李建平 | 主分类号 | G01N27/64(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/64(2006.01);H01J49/00(2006.01) | 专利有效期 | 用于离子迁移率谱仪的微机电表面离化源 至用于离子迁移率谱仪的微机电表面离化源 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于离子迁移率谱仪的微机电表面离化源，涉及离子迁移率谱仪技术，为微机电热板阵列式表面离化源，包括基板、离化材料层、绝缘层、加热层和电极压焊块；其表面离化源的微热板阵列采用层叠结构，即在单晶硅基板一侧表面上，用微机电加工工艺顺序制备阵列排布的加热层、绝缘层和离化材料层；基板表面上还有电极压焊块，电极压焊块与加热层电连接；表面离化源的微热板阵列采用4.8～5.2V的电源进行加热，微热板温度在300℃～700℃之间。本发明的表面离化源替代传统离子迁移率谱仪漂移管的离化源及离子门，无需离子门结构，减小了漂移管的尺寸并简化离子迁移率谱仪的电路，为离子迁移率谱仪和漂移管的微型化提供了一种新的方法。 |
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